Недавно появившаяся на рынке компания Nanosys сообщила о том, что ею была разработана новая технология, позволяющая в два раза повысить плотность флэш-памяти.

Суть изобретения Nanosys состоит в использовании самособирающихся металлических нанокристаллов. С их помощью уменьшается толщина изолирующего слоя и повышается плотность размещения ячеек памяти. Флэш-память, созданная на базе технологии Nanosys, потребляет гораздо меньше энергии в процессе записи или чтения информации. Еще один плюс — данные в ячейках памяти можно перезаписывать неограниченное число раз.

Напомним, что сегодня группы электронов в ячейках флэш-памяти размещаются в относительно небольшой области поликристаллического кремния, которая иначе называется "плавающий затвор" ("Floating Gate"). Этот "плавающий затвор" отгорожен толстым слоем изолирующего материала, во избежание утечки электронов.

Технология Nanosys уже привлекла внимание таких грандов IT-индустрии, как Micron Technologies и Intel. Благодаря их помощи, вполне возможно, на коммерческие рельсы новую технолгию поставят уже в 2009 году./Rdig.Ru, 12 сентября /