Деловая пресса

Главная

О проекте

Партнеры

Рассылка

Свидетельства СМИ

Реклама

Контакты

Публикации

Разместить информацию
Портал электронных
средств массовой информации
для предпринимателей


Поиск
Расширенный поиск


ЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДАНИЯ


Бизнес за рубежом



Новости электронной коммерции



Российские политические портреты



Новости малого бизнеса



Вести Отечества



Новости Cистемы ММЦ



Внешнеэкономическое обозрение



Россия выбирает



Торговая неделя



Москва: мэр и бизнес



Новые технологии



Налоги и бизнес



Бизнес и криминал



Деловая Москва



Лизинг Ревю



Маркетинг и практика предпринимательства





Новые технологии

  номер 2 (500) от 02.02.2011 Архив


<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


В США ПОСТРОЕН ПЕРВЫЙ ЛАЗЕР НА ЧИПЕ
Наноразмерный лазер, выращенный непосредственно на поверхности кремниевого чипа, открывает новые возможности для построения гибридной микроэлектроники. Последняя должна сочетать обработку электрических и оптических сигналов в единой схеме.
Новинку продемонстрировали учёные из калифорнийского университета в Беркли (University of California, Berkeley). Они сумели аккуратно соединить кристаллические решётки кремния, как основы, и полупроводников из III-V групп таблицы Менделеева.
Новый чип находится внутри испытательной камеры в центре этого снимка (фото Technology Review).Из-за различий в параметрах атомов обычное совмещение материалов приводило к дефектам, влияющим на работу устройства. Однако, авторы инновации придумали технологию тонкого контроля за ростом кристалла.
Учёные поместили кремниевую пластину в камеру, нагрели до 400 градусов по Цельсию, и постепенно добавили в виде газа нужные вещества. Так на подложке возник бездефектный кристалл арсенида индия галлия. Далее на нём аналогичным методом нарастили тонкую оболочку из арсенида галлия.
Когда получившийся лазер накачивали лучом от внешнего лазера, свет попадал внутрь полупроводникового столбика, где закручивался вокруг вертикальной оси по спирали (разница в оптических свойствах ядра и оболочки вызывала такой эффект). Захваченные фотоны накапливались, а после достижения определённого порога энергии выбрасывались.
"Этот спиральный эффект ранее не наблюдался в лазерах", — пишет Technology Review. (Детали опыта его авторы изложили в статье в Nature Photonics.)
Следующим шагом специалистов из Беркли должна стать демонстрация уже не оптической, а электрической накачки этого нанолазера.
Поскольку различные микроскопические фотоприёмники на чипе уже существуют, такое достижение позволит строить оптические схемы на кремнии, гладко совмещённые с традиционными элементами. Эта интеграция позволит поднять плотность упаковки и скорость работы микросхем, так как устранит некоторые узкие места в передаче данных между различными частями компьютеров.
/Мембрана.Ру/



<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


 
БЕСПЛАТНОЕ РАЗМЕЩЕНИЕ
ИНФОРМАЦИИ

  • ДОБАВИТЬ коммерческое предложение

  • ОПУБЛИКОВАТЬ информацию об организации

  • ОСТАВИТЬ заявку на кредит / инвестирование

  • РАЗМЕСТИТЬ объявление о покупке / продаже бизнеса

  • РАЗМЕСТИТЬ информацию о вакансии

  • Бесплатные сервисы онлайн



    КУРСЫ ВАЛЮТ ЦБ РФ
    на 25.11.2020
    USD75,8146+0,0546
    EUR89,8934-0,0413
    E/U1,1857-0,0014
    БВК82,1501+0,0114
    Все валюты

    ПОГОДА 
    Россия, Московская обл., Москва
    днем
    ночью

    (прогноз)
    Погода в России и за рубежом

    ВАШЕ МНЕНИЕ



      Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100
    2003 - 2020 © НДП "Альянс Медиа"
    Правила републикации
    материалов сайтов
    НП "НДП "Альянс Медиа"

    Политика конфиденциальности