Деловая пресса

Главная

О проекте

Партнеры

Рассылка

Свидетельства СМИ

Реклама

Контакты

Публикации

Разместить информацию
Портал электронных
средств массовой информации
для предпринимателей


Поиск
Расширенный поиск


ЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДАНИЯ


Бизнес за рубежом



Новости электронной коммерции



Российские политические портреты



Новости малого бизнеса



Вести Отечества



Новости Cистемы ММЦ



Внешнеэкономическое обозрение



Россия выбирает



Торговая неделя



Москва: мэр и бизнес



Новые технологии



Налоги и бизнес



Бизнес и криминал



Деловая Москва



Лизинг Ревю



Маркетинг и практика предпринимательства





Новые технологии

  номер 111 (483) - 112 (483) от 03.06.2010 Архив


<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


ПРЕДЛОЖЕН НОВЫЙ МЕТОД ЛЕГИРОВАНИЯ ГРАФЕНА

Учёные из Германии и Швейцарии нашли надёжный метод акцепторного легирования графена с помощью доступного органического соединения.

Основной задачей зарождающейся графеновой электроники остаётся разработка эффективных промышленных способов получения углеродного материала. Одним из наиболее перспективных вариантов считается термическое разложение подложки из карбида кремния SiC. При взаимодействии с SiC графен, однако, получает "естественное" донорное легирование; результатом этого становится сдвиг так называемой точки Дирака (точки соприкосновения зоны проводимости и валентной зоны) примерно на 300 мэВ вниз от уровня Ферми.

Известно, что электронная структура такого графена может изменяться при адсорбции атомов или молекул, и физики уже пытались вернуть ему свойства находящегося в свободном состоянии материала, используя диоксид азота и атомы висмута и золота. Эти эксперименты доказали действенность метода: точку Дирака удалось сместить.

Но предложенные способы были не очень технологичными. Диоксид азота высокотоксичен, а висмут и сурьма не сдвигали точку Дирака к уровню Ферми, а лишь приближали к нему на 150 мэВ. После обработки золотом точка, напротив, располагалась на 100 мэВ выше уровня.

Авторы рассматриваемой работы предлагают компенсировать донорное легирование с помощью 2,3,5,6-тетрафтор-7,7,8,8-тетрацианохинодиметана (F4-TCNQ) — соединения, которое уже использовалось в качестве акцептора электронов в органических светодиодах. Результаты наблюдений по современной методике фотоэмиссионной спектроскопии с угловым разрешением свидетельствуют о том, что плёнка F4-TCNQ толщиной 0,8 нм позволяет совместить точку Дирака с уровнем Ферми. Перенос заряда проходит в области контакта графена и F4-TCNQ, поэтому дальнейшее увеличение толщины слоя не приводит к видимым изменениям.

Органические плёнки оказались весьма устойчивыми: нагревание образца до 75 ˚C, к примеру, никак не повлияло на положение точки Дирака. Важным преимуществом методики учёные считают и то, что для нанесения органического слоя образец достаточно поместить в раствор F4-TCNQ в диметилсульфоксиде (альтернативой этому служит сравнительно сложный процесс осаждения из паровой фазы в высоковакуумной камере). /Компьюлента, 2 июня /




<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


 
БЕСПЛАТНОЕ РАЗМЕЩЕНИЕ
ИНФОРМАЦИИ

  • ДОБАВИТЬ коммерческое предложение

  • ОПУБЛИКОВАТЬ информацию об организации

  • ОСТАВИТЬ заявку на кредит / инвестирование

  • РАЗМЕСТИТЬ объявление о покупке / продаже бизнеса

  • РАЗМЕСТИТЬ информацию о вакансии

  • Бесплатные сервисы онлайн



    КУРСЫ ВАЛЮТ ЦБ РФ
    на 05.12.2020
    USD74,2529-0,9467
    EUR90,2618-0,9328
    E/U1,2156+0,0029
    БВК81,4569-0,9404
    Все валюты

    ПОГОДА 
    Россия, Московская обл., Москва
    днем
    ночью

    (прогноз)
    Погода в России и за рубежом

    ВАШЕ МНЕНИЕ



      Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100
    2003 - 2020 © НДП "Альянс Медиа"
    Правила републикации
    материалов сайтов
    НП "НДП "Альянс Медиа"

    Политика конфиденциальности