Деловая пресса

Главная

О проекте

Партнеры

Рассылка

Свидетельства СМИ

Реклама

Контакты

Публикации

Разместить информацию
Портал электронных
средств массовой информации
для предпринимателей


Поиск
Расширенный поиск


ЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДАНИЯ


Бизнес за рубежом



Новости электронной коммерции



Российские политические портреты



Новости малого бизнеса



Вести Отечества



Новости Cистемы ММЦ



Внешнеэкономическое обозрение



Россия выбирает



Торговая неделя



Москва: мэр и бизнес



Новые технологии



Налоги и бизнес



Бизнес и криминал



Деловая Москва



Лизинг Ревю



Маркетинг и практика предпринимательства





Новые технологии

  номер 108 (480) - 109 (480) от 23.04.2010 Архив


<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


ПРЕДСТАВЛЕН СРАВНИТЕЛЬНО ПРОСТОЙ МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ ГРАФЕНОВЫХ ПЛЕНОК

Сотрудники Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли (США) продемонстрировали возможность создания пленок однослойного графена на различных диэлектрических подложках методом химического осаждения из паровой фазы (chemical vapor deposition, CVD).

Существующие способы получения однослойного графена непригодны для промышленного применения либо не позволяют формировать пленки стабильно высокого качества. Авторы попытались решить эту проблему, обратившись к популярной и давно используемой в полупроводниковой промышленности методике.

Подложками в проведенных опытах служили монокристаллы кварца, сапфир, кварцевое стекло и диоксид кремния. Сначала на них методом электронно-лучевого испарения наносился слой катализатора (меди) толщиной 100–450 нм. Затем при температуре в 1 000 ˚C начинался процесс CVD в присутствии смеси H2 и СН4, продолжавшийся от 15 минут до семи часов.

В процессе выращивания пленки или сразу после его окончания медь собирается в капли и удаляется, оставляя однослойный графен на диэлектрической подложке. Исследования по методикам рамановской спектроскопии и атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии подтвердили образование слитных графеновых пленок на свободных от металла областях диэлектрика площадью в десятки квадратных микрометров. "Наш способ, вероятно, подойдет и для осаждения других "двумерных" материалов — к примеру, нитрида бора", — замечает участник исследования Юэган Чжан (Yuegang Zhang).

Полученные пленки образуют "складки", которые повторяют форму собирающейся в капли меди, в результате чего электронные свойства материала — подвижность носителей заряда — ухудшаются. "Нам необходимо научиться контролировать формирование "складок", чтобы четко задавать параметры графена", — ставит цель г-н Чжан. /Компьюлента, 10 апреля /




<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


 
БЕСПЛАТНОЕ РАЗМЕЩЕНИЕ
ИНФОРМАЦИИ

  • ДОБАВИТЬ коммерческое предложение

  • ОПУБЛИКОВАТЬ информацию об организации

  • ОСТАВИТЬ заявку на кредит / инвестирование

  • РАЗМЕСТИТЬ объявление о покупке / продаже бизнеса

  • РАЗМЕСТИТЬ информацию о вакансии

  • Бесплатные сервисы онлайн



    КУРСЫ ВАЛЮТ ЦБ РФ
    на 05.12.2020
    USD74,2529-0,9467
    EUR90,2618-0,9328
    E/U1,2156+0,0029
    БВК81,4569-0,9404
    Все валюты

    ПОГОДА 
    Россия, Московская обл., Москва
    днем
    ночью

    (прогноз)
    Погода в России и за рубежом

    ВАШЕ МНЕНИЕ



      Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100
    2003 - 2020 © НДП "Альянс Медиа"
    Правила републикации
    материалов сайтов
    НП "НДП "Альянс Медиа"

    Политика конфиденциальности