Деловая пресса

Главная

О проекте

Партнеры

Рассылка

Свидетельства СМИ

Реклама

Контакты

Публикации

Разместить информацию
Портал электронных
средств массовой информации
для предпринимателей


Поиск
Расширенный поиск


ЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДАНИЯ


Бизнес за рубежом



Новости электронной коммерции



Российские политические портреты



Новости малого бизнеса



Вести Отечества



Новости Cистемы ММЦ



Внешнеэкономическое обозрение



Россия выбирает



Торговая неделя



Москва: мэр и бизнес



Новые технологии



Налоги и бизнес



Бизнес и криминал



Деловая Москва



Лизинг Ревю



Маркетинг и практика предпринимательства





Новые технологии

  номер 94 (466) - 95 (466) от 02.10.2009 Архив


<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


НАЧАТО МАССОВОЕ ПРОИЗВОДСТВО ФАЗОВОЙ КОМПЬЮТЕРНОЙ ПАМЯТИ

Компания Samsung Electronics объявила о старте серийного производства чипов компьютерной памяти нового типа — с изменением фазы (PRAM). Они сохраняют информацию путём расплавления и затвердевания крошечных кристаллов.

Новая микросхема (на снимке под заголовком) обладает ёмкостью в 512 мегабит. Как сообщает компания в своём пресс-релизе, PRAM производит стирание ячеек почти в десять раз быстрее, чем современные образцы флеш-памяти, а темп перезаписи информации превышает показатель флешек в семь раз.

Ячейки PRAM основаны на кусочках полупроводника микроскопических размеров. При записи информации они очень быстро переходят из кристаллической фазы в аморфную и обратно. Смена состояния достигается при помощи электрического импульса.

Фазы сильно различаются по сопротивлению и могут быть интерпретированы как нули и единицы. Само пребывание в той или иной фазе энергии не требует. Быстродействие PRAM зависит лишь от того, сколько времени требуется для расплавления и последующей заморозки кристалла.

К примеру, в одном из недавних экспериментов, проведённом Манфредом Вуттигом (Manfred Wuttig) из Берлинского технологического университета, учёные испытывали ячейки PRAM диаметром всего в 20 нанометров (о чем сообщали в Nature). В этих клетках переход между состояниями совершался всего за 16 наносекунд – быстрее любой существующий на сегодняшний день технологии.

По оценке Samsung, применение PRAM в мобильных устройствах за счёт меньшего энергопотребления такой памяти способно увеличить время работы аккумуляторов на 20%. /Мембрана.Ру, 30 сентября /




<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


 
БЕСПЛАТНОЕ РАЗМЕЩЕНИЕ
ИНФОРМАЦИИ

  • ДОБАВИТЬ коммерческое предложение

  • ОПУБЛИКОВАТЬ информацию об организации

  • ОСТАВИТЬ заявку на кредит / инвестирование

  • РАЗМЕСТИТЬ объявление о покупке / продаже бизнеса

  • РАЗМЕСТИТЬ информацию о вакансии

  • Бесплатные сервисы онлайн



    КУРСЫ ВАЛЮТ ЦБ РФ
    на 30.09.2020
    USD79,6845+1,0132
    EUR93,0237+1,5447
    E/U1,1674+0,0046
    БВК85,6871+1,2524
    Все валюты

    ПОГОДА 
    Россия, Московская обл., Москва
    днем
    ночью

    (прогноз)
    Погода в России и за рубежом

    ВАШЕ МНЕНИЕ



      Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100
    2003 - 2020 © НДП "Альянс Медиа"
    Правила републикации
    материалов сайтов
    НП "НДП "Альянс Медиа"

    Политика конфиденциальности