Деловая пресса

Главная

О проекте

Партнеры

Рассылка

Свидетельства СМИ

Реклама

Контакты

Публикации

Разместить информацию
Портал электронных
средств массовой информации
для предпринимателей


Поиск
Расширенный поиск


ЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДАНИЯ


Бизнес за рубежом



Новости электронной коммерции



Российские политические портреты



Новости малого бизнеса



Вести Отечества



Новости Cистемы ММЦ



Внешнеэкономическое обозрение



Россия выбирает



Торговая неделя



Москва: мэр и бизнес



Новые технологии



Налоги и бизнес



Бизнес и криминал



Деловая Москва



Лизинг Ревю



Маркетинг и практика предпринимательства





Новые технологии

  номер 90 (462) - 91 (462) от 07.08.2009 Архив


<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


ПРЕДСТАВЛЕНА ТЕХНОЛОГИЯ, ЗАМЕНЯЮЩАЯ ПРОЦЕСС ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ТРАНЗИСТОРОВ

Группа ученых из Университета Райса и Университета штата Северная Каролина (оба — США) показала, что слой молекул на поверхности кремния может имитировать действие примесей.

Величины порогового напряжения для созданного с помощью монослоя молекул полевого транзистора с активным слоем толщиной 450 нм и каналом p-типа (сверху) и n-типа (иллюстрация авторов работы).

Легирование полупроводников, как известно, позволяет в широких пределах изменять их электрические свойства; развитие микроэлектроники неразрывно связано с технологией искусственного внесения примесей, однако продолжающееся уменьшение размеров транзисторов постепенно снижает и эффективность легирования.

"Объем наноразмерных образцов кремния крайне мал, — замечает один из участников исследования Джеймс Тур (James Tour). — И в этот объем необходимо поместить атомы примеси; в результате вы, разумеется, получаете неоднородности. В одном устройстве может быть чуть больше примесных атомов, а в другом — чуть меньше, что тут же отражается на их характеристиках".

Авторы предлагают заменить процесс легирования нанесением ровного монослоя молекул на поверхность кремния. После нанесения происходит перенос заряда, что влияет на изгиб зон полупроводника; молекулы действуют как доноры или акцепторы. При этом их концевые группы могут также служить верхним затвором; указанные эффекты позволяют модулировать электропроводность в полевом транзисторе. Влияние молекул, как утверждают ученые, распространяется на образцы кремния толщиной в 4,92 мкм.

По мнению г-на Тура, новая технология должна заинтересовать многие компании полупроводниковой отрасли. "Мы можем подойти к производителю и предложить ему довольно простой способ увеличения срока действия производственной линии, — говорит ученый. — И я гарантирую, что все мировые производители, все "Интелы", "Микроны" и "Самсунги" попробуют использовать этот шанс". /Компьюлента, 24 июля /




<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


 
БЕСПЛАТНОЕ РАЗМЕЩЕНИЕ
ИНФОРМАЦИИ

  • ДОБАВИТЬ коммерческое предложение

  • ОПУБЛИКОВАТЬ информацию об организации

  • ОСТАВИТЬ заявку на кредит / инвестирование

  • РАЗМЕСТИТЬ объявление о покупке / продаже бизнеса

  • РАЗМЕСТИТЬ информацию о вакансии

  • Бесплатные сервисы онлайн



    КУРСЫ ВАЛЮТ ЦБ РФ
    на 24.11.2020
    USD75,7600-0,2520
    EUR89,9347-0,3296
    E/U1,1871-0,0004
    БВК82,1386-0,2869
    Все валюты

    ПОГОДА 
    Россия, Московская обл., Москва
    днем
    ночью

    (прогноз)
    Погода в России и за рубежом

    ВАШЕ МНЕНИЕ



      Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100
    2003 - 2020 © НДП "Альянс Медиа"
    Правила републикации
    материалов сайтов
    НП "НДП "Альянс Медиа"

    Политика конфиденциальности