Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. сообщила об успешной разработке принципиально нового чипа памяти на основе сегнетоэлектрических материалов - Ferroelectric RAM (FeRAM). Сегнетоэлектрики - это особые кристаллические диэлектрики с доменной структурой, способные изменять свои свойства в зависимости от внешних воздействий. Чипы FeRAM являются следующим поколением микросхем памяти и способны обеспечить ёмкость хранения, сравнимую с DRAM, а скорость работы, сравнимую с SRAM. В настоящее время Hyundai выпустила два образца чипов - 64К FeRAM и 256К FeRAM. Массовый выпуск микросхем FeRAM планируется на третий квартал этого года. (РБК, 21.04.2000)