Деловая пресса

Главная

О проекте

Партнеры

Рассылка

Свидетельства СМИ

Реклама

Контакты

Публикации

Разместить информацию
Портал электронных
средств массовой информации
для предпринимателей


Поиск
Расширенный поиск


ЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДАНИЯ


Бизнес за рубежом



Новости электронной коммерции



Российские политические портреты



Новости малого бизнеса



Вести Отечества



Новости Cистемы ММЦ



Внешнеэкономическое обозрение



Россия выбирает



Торговая неделя



Москва: мэр и бизнес



Новые технологии



Налоги и бизнес



Бизнес и криминал



Деловая Москва



Лизинг Ревю



Маркетинг и практика предпринимательства





Новые технологии

  номер 15 (138) от 17.04.2002 Архив


<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


ЛИТОГРАФИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ВАКУУМНОГО УЛЬТРАФИОЛЕТА

В марте проведены первые успешные опыты по фотолитографии с использованием дальнего ультрафиолета. Значение этого события трудно переоценить: оно закладывает основы для развития микроэлектроники в ближайшие десятилетия.

Основным критерием уровня производства в микроэлектронике является количество элементов на чипе, что, в свою очередь, зависит от минимального размера элемента микросхемы, получаемого методами литографии. Сегодня для изготовления микросхем применяется фотолитография с использованием излучения эксимерного лазера с длиной волны 248 нм. На ближайшие пять лет ресурс для развития есть - это переход к литографии на длине волны 157 нм (также одна из длин волн эксимерных лазеров на фторных смесях) и использование преломляющей оптики из флюорита. Это позволит некоторое время двигаться вперед с примерно той же скоростью, обеспечивая формирование деталей микросхем с разрешением до 50 нм. Проблема в том, куда двигаться дальше.

Естественно, необходимые технические решения начали разрабатываться не сегодня. Исходно рассматривалось несколько очень дорогих проектов: электронно-лучевая, ионно-лучевая и рентгеновские литографии. Одной из разновидностей последней была литография в дальнем ультрафиолете (Extreme UltraViolet lithography). EUV литография, отчасти по преемственности с используемой оптической литографией, рассматривалась как наиболее вероятная технология. Тем не менее, и этот вариант сулил кардинальные изменения в технологии, поскольку прежняя преломляющая оптика уже не может использоваться в новом диапазоне длин волн.

Масштабность проблем и стремление не оказаться позади в технологической гонке заставили несколько лет назад ведущих производителей чипов в США объединиться в специализированный консорциум, названный EUV LLT. Европейские фирмы несколько задержались на старте и объединились лишь несколько месяцев назад в рамках “Media+” программы. Однако, учитывая стратегическое значение этих разработок, в рамках “Media+” планируется до 2008 года запустить и проинвестировать 38 крупных микроэлектронных проектов, среди которых EUV - одна из наиболее значительных. Частично европейские производители вовлечены и в американские программы. Предположительно, специализацией европейских производителей явится поставка литографической оптики – область, в которой европейцы традиционно сильны. Требующиеся для EUV литографии оптические элементы представляют собой многослойные зеркала из примерно полусотни чередующихся слоев молибдена/кремния или бора/углерода, причем допустимое отклонение зеркал от плоскостности порядка одного атомного монослоя.

Один из наиболее критичных моментов - источник излучения для EUV литографии. На еще не существующий источник производители чипов уже наложили свои ограничения: он должен выдавать в рабочем диапазоне длин волн не менее 100 Вт - этого должно быть достаточно для производительности линии литографии 80 пластин кремния в час.

Март 2002 г. явился датой, которая отсекла многие альтернативы. Cutting Edge Optronics и Sandia National Laboratories впервые продемонстрировали успешную литографию с использованием дальнего ультрафиолета. EUV источником служило излучение плотного облака горячей плазмы. Плазму, в свою очередь, получали при фокусировке 500-ваттного YAG-Nd лазера на струе распыляемого жидкого ксенона. По последнему опубликованному сообщению, полученная мощность в тридцать раз превышала достигнутую при использовании предыдущего варианта устройства, и время экспозиции кремниевых пластин составило 4 секунды против 120 секунд соответственно. Сообщается также, что во втором квартале текущего года будут проведены опыты по литографии с использованием 1.5кВт лазерной мощности для накачки плазмы.

Все это дает надежду, что знаменитый закон закон Мура, утверждающий, что количество транзисторов, которые можно разместить в одном чипе, удваивается каждые 18 месяцев, будет выполняться и дальше. (scientific.ru, 16.04.2002)




<< предыдущая статья     оглавление     следующая статья >>


 
БЕСПЛАТНОЕ РАЗМЕЩЕНИЕ
ИНФОРМАЦИИ

  • ДОБАВИТЬ коммерческое предложение

  • ОПУБЛИКОВАТЬ информацию об организации

  • ОСТАВИТЬ заявку на кредит / инвестирование

  • РАЗМЕСТИТЬ объявление о покупке / продаже бизнеса

  • РАЗМЕСТИТЬ информацию о вакансии

  • Бесплатные сервисы онлайн



    КУРСЫ ВАЛЮТ ЦБ РФ
    на 06.06.2020
    USD68,6319-0,3832
    EUR77,9658+0,6413
    E/U1,1360+0,0156
    БВК72,8322+0,0778
    Все валюты

    ПОГОДА 
    Россия, Московская обл., Москва
    днем
    ночью

    (прогноз)
    Погода в России и за рубежом

    ВАШЕ МНЕНИЕ



      Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100
    Российский деловой портал «Альянс Медиа»
     · Бизнес России
    Бизнес-образование
     · Бизнес-план
     · БИНФО
     · Благотворительность
     · Бухгалтерский учет
     · Вся Россия
     · ВЭД
    Госзаказ
     · Дистанционный консалтинг
     · ЖКХ
     · Законы
     · Зоокластер
     · Инвестиции
     · Инновации
     · Исследования
    Исторические документы
     · ИТ и связь
     · Кино
     · Кластер инноваций
     · Кластерное развитие
     · Коммерческие предложения
    Легпром
     · Маркетинг
     · Мероприятия
     · Молодежь
     · Наука
     · Недвижимость
     · Охрана труда
     · Размещение пресс-релизов
    Пресса
     · Продукция и услуги
     · Работа
     · Рассылки
     · Реклама и PR
     · Ремесленничество
     · Рестораны
     · Русский язык
    Система ММЦ
     · Словарь
     · Социальное общество
     · Спорт
     · Стиль Мода Дизайн
     · Субконтрактация
    ТВ - Первый канал бизнеса
     · Тесты
     · Транспорт
     · Финансовые рынки
     · Экология
    Адыгея
     · Алтай
     · Амурская область
     · Архангельск
     · Астрахань
     · Башкортостан
     · Белгород
     · Брянск
     · Бурятия
    Владимир
     · Волгоград
     · Вологда
     · Воронеж
     · Дагестан
     · Еврейская АО
     · Забайкальский край
     · Иваново
     · Ингушетия
    Иркутск
     · Кабардино-Балкария
     · Калининград
     · Калмыкия
     · Калуга
     · Камчатка
     · Карачаево-Черкессия
     · Карелия
    Кемерово
     · Киров
     · Коми
     · Кострома
     · Краснодар
     · Красноярск
     · Курган
     · Курск
     · Ленинградская область
    Липецк
     · Магадан
     · Марий Эл
     · Мордовия
     · Москва
     · Московская область
     · Мурманск
     · Ненецкий АО
    Нижний Новгород
     · Новгород
     · Новосибирск
     · Омск
     · Орел
     · Оренбург
     · Осетия
     · Пенза
     · Пермь
     · Приморье
    Псков
     · Республика Алтай
     · Республика Крым
     · Ростов-на-Дону
     · Рязань
     · Самара
     · Санкт-Петербург
     · Саратов
    Сахалин
     · Свердловская область
     · Севастополь
     · Смоленск
     · Ставрополь
     · Тамбов
     · Татарстан
     · Тверь
     · Томск
    Тула
     · Тыва
     · Тюмень
     · Удмуртия
     · Ульяновск
     · Хабаровск
     · Хакасия
     · ХМАО-Югра
     · Челябинск
     · Чечня
    Чувашия
     · Чукотка
     · Якутия
     · Ямало-Ненецкий АО
     · Ярославль
    Дальневосточный ФО
     · Приволжский ФО
     · Северо-Западный ФО
     · Северо-Кавказский ФО
     · Сибирский ФО
     · Уральский ФО
    Центральный ФО
     · Южный ФО
    Австралия
     · Австрия
     · Азербайджан
     · Аргентина
     · Армения
     · АТЭС
     · Белоруссия
     · Бельгия
     · Болгария
     · Бразилия
    Великобритания
     · Венгрия
     · Вьетнам
     · Германия
     · Греция
     · Грузия
     · Дания
     · ЕАЭС
     · Египет
     · Израиль
     · Индия
    Ирландия
     · Испания
     · Италия
     · Казахстан
     · Канада
     · Кипр
     · Киргизия
     · Китай
     · Куба
     · Латвия
     · Литва
    Молдавия
     · Монголия
     · Нидерланды
     · Норвегия
     · Польша
     · Португалия
     · Румыния
     · Сербия
     · Словакия
     · Словения
    СНГ
     · Таджикистан
     · Тайвань
     · Туркмения
     · Турция
     · Узбекистан
     · Украина
     · Финляндия
     · Франция
     · Хорватия
    Черногория
     · Чехия
     · Швейцария
     · Швеция
     · Эстония
     · Южная Корея
     · Япония
    2003 - 2020 © НДП "Альянс Медиа"
    Правила републикации
    материалов сайтов
    НП "НДП "Альянс Медиа"

    Политика конфиденциальности